IBM dhe Samsung kanë prezantuar avancimin e tyre më të fundit në dizajnin e proçesorëve gjysëmkonduktor: një vendosje e re vertikale e tranzistorëve në çip.
Dizajni i ri Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) ka si qëllim të zëvëndësojë teknologjinë aktuale FinFet. Dizajni i ri konsiston në vendosjen vertikale të tranzistorëve, duke bërë që elektriciteti të kalojë nga lart poshtë në vend se të lëvizë nga të dyja anët në mënyrë horizontale.
Dizajnet vertikale të proçesorëve gjysëmkonduktorë janë shumë në modë tani, dhe Intel po mendon se në të ardhmen do të lëvizin drejt këtij dizajni. Ne jemi akoma larg nga përdorimi i dizajneve VTFET në podukte përfundimtare, mirëpo të dyja kompanitë po bëjnë disa deklarata mjaft mahnitëse, duke thënë se proçesorët VTFET mund të ofrojnë përmirësim 2x në performancë dhe një reduktim prej 85% në konsumin e baterisë në krahasim me modelet FinFET.
IBM dhe Samsung tregojnë se ky dizajn mund të ketë një aplikim të gjerë në fushën e smartphone-ve, duke bërë që bateritë e telefonave të zgjasin 1 javë me një karikim të vetëm. Gjithashtu ato mund të ndihmojnë dhe në uljen e kërkesave për energji të minimit të kriptomonedhave.
IBM më parë prezantoi proçesorin e parë 2nm i cili përdor teknologjinë aktuale FinFET. VTFET mund t’i çojë gjërat shumë më larg, por kjo gjë do të kërkojë pak kohë deri sa të aplikohet.
